Салий Роман Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Высокоэффективные (EQE = 37.5%) инфракрасные (850 нм) светодиоды с брэгговским и зеркальным отражателями
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1218–1222
2. Влияние внутренних отражателей на эффективность инфракрасных (850 нм) светодиодов
   
   Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  614–617
3. Исследование фотоэлектрических характеристик GaAs-фотопреобразователей при различном расположении массива квантовых точек InGaAs в $i$-области
   
   Письма в ЖТФ, 47:21 (2021),  28–31
4. Увеличение эффективности трехпереходных солнечных элементов за счет метаморфного InGaAs-субэлемента
   
   Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  51–54
5. Формирование гетероструктур GaP/Si-фотопреобразователей с помощью комбинации методов МОС-гидридной эпитаксии и атомно-слоевого плазмохимического осаждения
   
   Письма в ЖТФ, 47:14 (2021),  51–54
6. Увеличение коэффициента полезного действия фотопреобразователей лазерного излучения диапазона 520–540 nm на основе гетероструктур GaInP/GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 47:6 (2021),  29–31
7. Сравнительный анализ оптических и физических свойств квантовых точек InAs, In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As и фотоэлектрических преобразователей на их основе
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1079–1087
8. Влияние легирования слоев брэгговских отражателей на электрические свойства InGaAs/GaAs метаморфных фотопреобразователей
   
   Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  400–407
9. Быстродействующие фотодетекторы оптического диапазона 950–1100 nm на основе In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As/GaAs-наноструктур квантовая яма-точки
   
   Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  11–14
10. Электрические контакты к структурам на основе InP с подконтактным слоем к $p$-InP, легированным Zn
    
    Письма в ЖТФ, 46:23 (2020),  13–14
11. Влияние числа рядов GaInAs-квантовых объектов на ток насыщения GaAs-фотопреобразователей
    
    Письма в ЖТФ, 46:12 (2020),  30–33
12. Рекомбинация в GaAs $p$-$i$-$n$-структурах с InGaAs квантово-размерными объектами: моделирование и закономерности
    
    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1126–1130
13. In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As квантовые точки для GaAs-фотопреобразователей: особенности роста, исследование методом металлорганической газофазной эпитаксии, и свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  729–735
14. Оптимизация структурных и ростовых параметров метаморфных InGaAs-фотопреобразователей, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  94–100
15. Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  525–530