Покровский Павел Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Измерение тепловых характеристик фотоэлектрических концентраторных модулей
   
   ЖТФ, 91:2 (2021),  291–298
2. Высокоэффективные (EQE = 37.5%) инфракрасные (850 нм) светодиоды с брэгговским и зеркальным отражателями
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1218–1222
3. Исследование методов текстурирования светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1086–1090
4. Влияние внутренних отражателей на эффективность инфракрасных (850 нм) светодиодов
   
   Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  614–617
5. Динамика влажности воздуха в концентраторном фотоэлектрическом модуле с устройством осушения
   
   Письма в ЖТФ, 47:4 (2021),  52–54
6. Плазмохимическое и жидкостное травление в постростовой технологии каскадных солнечных элементов на основе гетероструктуры GaInP/GaInAs/Ge
   
   Письма в ЖТФ, 47:3 (2021),  14–17
7. Исследование методов пассивации и защиты каскадных солнечных элементов
   
   Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  35–37
8. Высокоэффективные фотоэлектрические модули с концентраторами солнечного излучения
   
   Письма в ЖТФ, 46:13 (2020),  24–26
9. Система контроля точности слежения за Солнцем концентраторных фотоэнергоустановок
   
   Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  11–13
10. Теплоотводящие электроизолирующие платы для фотоэлектрических преобразователей концентрированного солнечного излучения
    
    Письма в ЖТФ, 46:9 (2020),  29–31
11. Увеличение КПД концентраторных фотоэлектрических модулей при использовании фоконов в качестве вторичных оптических концентраторов
    
    Письма в ЖТФ, 46:5 (2020),  38–40
12. Высокоэффективное преобразование лазерного излучения высокой плотности
    
    Письма в ЖТФ, 45:2 (2019),  26–28
13. Тепловые характеристики высокоэффективных фотоэлектрических преобразователей мощного лазерного излучения
    
    Письма в ЖТФ, 44:21 (2018),  105–110
14. Высокоэффективные AlGaAs/GaAs фотоэлектрические преобразователи с торцевым вводом лазерного излучения
    
    Письма в ЖТФ, 44:17 (2018),  42–48
15. Основные фотоэлектрические характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/InGaAs/Ge в широком диапазоне температур (-197 $\le T\le$ +85$^\circ$C)
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1374–1379