Потапович Наталия Станиславовна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. К 125-летию со дня рождения лауреата Нобелевской премии академика Николая Николаевича Семенова. Высокоэффективные фотоэлектрические модули с концентраторами солнечного излучения
   
   ЖТФ, 91:6 (2021),  915–921
2. Фотоэлектрические преобразователи узкополосного излучения на основе гетероструктур InGaAsP/InP
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1091–1094
3. Влияние внутренних отражателей на эффективность инфракрасных (850 нм) светодиодов
   
   Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  614–617
4. Исследование влияния вторичных объемных концентраторов на выходные параметры фотоэлектрических модулей
   
   ЖТФ, 90:12 (2020),  2118–2122
5. Модули фотоэлектрических преобразователей лазерного ($\lambda$ = 809–850 nm) излучения
   
   ЖТФ, 90:10 (2020),  1764–1768
6. Высокоэффективные фотоэлектрические модули с концентраторами солнечного излучения
   
   Письма в ЖТФ, 46:13 (2020),  24–26
7. Увеличение КПД концентраторных фотоэлектрических модулей при использовании фоконов в качестве вторичных оптических концентраторов
   
   Письма в ЖТФ, 46:5 (2020),  38–40
8. Модуль фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм)
   
   Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1135–1139
9. Фотоэлектрические AlGaAs/GaAs-преобразователи излучения тритиевых радиолюминесцентных ламп
   
   Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1647–1650
10. Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм) на основе GaInAsP/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1641–1646
11. Модификация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 808 нм), получaемых методом жидкофазной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  385–389
12. Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения на основе гетероструктур InP(GaAs)/InP, полученные методом жидкофазной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 44:18 (2018),  31–38
13. Фотоэлектрический приемник лазерного излучения ($\lambda$ = 809 нм) на основе GаAs
    
    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  676–679
14. Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1242–1246