Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Формирование гексагональной фазы германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 621–624
-
Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC
Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1507–1511
-
Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов на SiC-подложке с пленкой графена
Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1317–1320
-
Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния
Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1304–1307
-
Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Физика твердого тела, 58:10 (2016), 1886–1889
© , 2024