Нахимович М В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Высокоэффективные (EQE = 37.5%) инфракрасные (850 нм) светодиоды с брэгговским и зеркальным отражателями
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1218–1222
2. Фотоэлектрические преобразователи узкополосного излучения на основе гетероструктур InGaAsP/InP
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1091–1094
3. Термофотоэлектрические GaSb-преобразователи излучения инфракрасных селективных эмиттеров
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  956–959
4. Инфракрасные (850 нм) светодиоды с множественными квантовыми ямами InGaAs и “тыльным” отражателем
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  699–703
5. Исследование фотоэлектрических характеристик GaAs-фотопреобразователей при различном расположении массива квантовых точек InGaAs в $i$-области
   
   Письма в ЖТФ, 47:21 (2021),  28–31
6. Увеличение эффективности трехпереходных солнечных элементов за счет метаморфного InGaAs-субэлемента
   
   Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  51–54
7. Увеличение коэффициента полезного действия фотопреобразователей лазерного излучения диапазона 520–540 nm на основе гетероструктур GaInP/GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 47:6 (2021),  29–31
8. Влияние легирования слоев брэгговских отражателей на электрические свойства InGaAs/GaAs метаморфных фотопреобразователей
   
   Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  400–407
9. Быстродействующие фотодетекторы оптического диапазона 950–1100 nm на основе In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As/GaAs-наноструктур квантовая яма-точки
   
   Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  11–14