Шварц Максим Зиновьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Высокоэффективные (EQE = 37.5%) инфракрасные (850 нм) светодиоды с брэгговским и зеркальным отражателями
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1218–1222
2. Термофотоэлектрические GaSb-преобразователи излучения инфракрасных селективных эмиттеров
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  956–959
3. Инфракрасные (850 нм) светодиоды с множественными квантовыми ямами InGaAs и “тыльным” отражателем
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  699–703
4. Исследование фотоэлектрических характеристик GaAs-фотопреобразователей при различном расположении массива квантовых точек InGaAs в $i$-области
   
   Письма в ЖТФ, 47:21 (2021),  28–31
5. Увеличение эффективности трехпереходных солнечных элементов за счет метаморфного InGaAs-субэлемента
   
   Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  51–54
6. Увеличение коэффициента полезного действия фотопреобразователей лазерного излучения диапазона 520–540 nm на основе гетероструктур GaInP/GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 47:6 (2021),  29–31
7. Модули фотоэлектрических преобразователей лазерного ($\lambda$ = 809–850 nm) излучения
   
   ЖТФ, 90:10 (2020),  1764–1768
8. Сравнительный анализ оптических и физических свойств квантовых точек InAs, In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As и фотоэлектрических преобразователей на их основе
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1079–1087
9. Влияние легирования слоев брэгговских отражателей на электрические свойства InGaAs/GaAs метаморфных фотопреобразователей
   
   Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  400–407
10. Влияние температуры на характеристики 4$H$-SiC-фотоприемника
    
    Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  195–201
11. Быстродействующие фотодетекторы оптического диапазона 950–1100 nm на основе In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As/GaAs-наноструктур квантовая яма-точки
    
    Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  11–14
12. Влияние числа рядов GaInAs-квантовых объектов на ток насыщения GaAs-фотопреобразователей
    
    Письма в ЖТФ, 46:12 (2020),  30–33
13. Определение по спектру фототока ширины запрещенной зоны Ga$_{1-x}$In$_{x}$As $p$–$n$-переходов на метаморфном буфере
    
    Письма в ЖТФ, 46:7 (2020),  29–31
14. Экспериментальное и теоретическое исследование спектров фоточувствительности структур с квантовыми ямами-точками In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As оптического диапазона 900–1050 nm
    
    Письма в ЖТФ, 46:5 (2020),  3–6
15. Латеральные наноструктуры Ga(In)AsP как часть оптической системы фотопреобразователей на основе GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1714–1717
16. Противодействующий фотовольтаический эффект в верхней межгенераторной части трехпереходных GaInP/GaAs/Ge солнечных элементов
    
    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1568–1572
17. Модуль фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм)
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1135–1139
18. Увеличение фототока Ga(In)As-субэлемента в многопереходных солнечных элементах GaInP/Ga(In)As/Ge
    
    Письма в ЖТФ, 45:24 (2019),  41–43
19. Квантовый выход кремниевого XUV-лавинного фотодиода в диапазоне длин волн 320–1100 nm
    
    Письма в ЖТФ, 45:24 (2019),  10–13
20. Аномалии в фотовольтаических характеристиках многопереходных солнечных элементов при сверхвысоких концентрациях солнечного излучения
    
    Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  37–39
21. Характеристики кремниевого лавинного фотодиода для ближнего ИК-диапазона
    
    Письма в ЖТФ, 45:15 (2019),  40–42
22. Высокоэффективное преобразование лазерного излучения высокой плотности
    
    Письма в ЖТФ, 45:2 (2019),  26–28
23. Влияние структуры омических контактов на характеристики GaAs/AlGaAs фотоэлектрических преобразователей
    
    ЖТФ, 88:8 (2018),  1211–1215
24. Фотоэлектрические AlGaAs/GaAs-преобразователи излучения тритиевых радиолюминесцентных ламп
    
    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1647–1650
25. Многослойные InGaAs-гетероструктуры “квантовая яма-точки” в фотопреобразователях на основе GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1131–1136
26. Рекомбинация в GaAs $p$-$i$-$n$-структурах с InGaAs квантово-размерными объектами: моделирование и закономерности
    
    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1126–1130
27. In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As квантовые точки для GaAs-фотопреобразователей: особенности роста, исследование методом металлорганической газофазной эпитаксии, и свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  729–735
28. Модификация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 808 нм), получaемых методом жидкофазной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  385–389
29. Оптические свойства InGaAs/InAlAs метаморфных наногетероструктур для фотопреобразователей лазерного и солнечного излучения
    
    Письма в ЖТФ, 44:19 (2018),  50–58
30. Влияние толщины базы на эффективность фотопреобразования текстурированных солнечных элементов на основе кремния
    
    Письма в ЖТФ, 44:19 (2018),  40–49
31. Оптимизация структурных и ростовых параметров метаморфных InGaAs-фотопреобразователей, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  94–100
32. Влияние двух- и трехслойных просветляющих покрытий на формирование фототоков в многопереходных солнечных элементах на основе A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  89–93
33. Особенности токопрохождения в гетеропереходных солнечных элементах на основе $\alpha$-Si : H/Si
    
    Письма в ЖТФ, 43:3 (2017),  29–38
34. Растекание тока в солнечных элементах: двухпараметрическая трубковая модель
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  987–992
35. Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  525–530
36. Моделирование характеристик фотопреобразователей лазерного излучения InGaAs/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  132–137
37. Моделирование омических потерь в фотопреобразователях лазерного излучения для длин волн 809 и 1064 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  125–131
38. Исследование влияния температуры на характеристики гетеропереходных солнечных элементов на основе кристаллического кремния
    
    Письма в ЖТФ, 42:6 (2016),  70–76