|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Радиационная стойкость источника субтерагерцового излучения из гетеродина на генераторе на диоде Ганна и умножителя на полупроводниковой сверхрешетке
ЖТФ, 91:10 (2021), 1501–1503
-
Моделирование реакции сверхвысокочастотного низкобарьерного неохлаждаемого диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства и фемтосекундных лазерных импульсов
Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 743–747
-
Моделирование реакции низкобарьерного диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства
Письма в ЖТФ, 47:6 (2021), 51–54
-
Сравнение эффективности перспективных гетероструктурных умножительных диодов терагерцового диапазона частот
Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1158–1162
-
Сравнение особенностей транспорта электронов и субтетрагерцовой генерации в диодах на основе 6-, 18-, 30-, 70- и 120-периодных сверхрешеток GaAs/AlAs
Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1218–1223
-
Радиационная стойкость терагерцовых диодов на основе GaAs/AlAs-сверхрешеток
Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1337–1345
-
Оптимизация параметров сверхрешетки для диодов терагерцового диапазона частот
Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1493–1497
-
Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов
Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1489–1492
-
Исследование генерации СВЧ сигналов в планарном диоде Ганна с учетом радиационного облучения
Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1605–1609
-
Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов
Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1599–1604
-
Моделирование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках для терагерцового диапазона частот
Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1548–1553
© , 2024