RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Потехин Александр Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Моделирование реакции сверхвысокочастотного низкобарьерного неохлаждаемого диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства и фемтосекундных лазерных импульсов

    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  743–747
  2. Моделирование образования каскада смещений и переходных ионизационных процессов в кремниевых полупроводниковых структурах при нейтронном воздействии

    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1279–1284
  3. Деградация характеристик биполярных транзисторов на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в них нанометровых кластеров радиационных дефектов под действием нейтронного облучения

    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1520–1524
  4. Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов

    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1489–1492


© МИАН, 2024