Тарасова Елена Александровна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Анализ влияния спейсерных слоев на нелинейные искажения вольт-амперных характеристик pHEMT на основе соединения GaAlAs/InGaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  872–876
2. Экспериментальные исследования модификации характеристик GaAs-структур с контактами Шоттки после воздействия быстрых нейтронов
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  846–849
3. Моделирование реакции сверхвысокочастотного низкобарьерного неохлаждаемого диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства и фемтосекундных лазерных импульсов
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  743–747
4. Моделирование реакции низкобарьерного диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства
   
   Письма в ЖТФ, 47:6 (2021),  51–54
5. Комплексное исследование кластеров радиационных дефектов в GaAs-структурах после нейтронного воздействия
   
   Письма в ЖТФ, 47:5 (2021),  38–41
6. Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора $\sim$100 нм
   
   Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  968–973
7. Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур и СВЧ транзисторов в момент и после импульсного $\gamma$- и $\gamma$-нейтронного облучения
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1414–1420
8. Анализ параметров GaN-HEMT до и после гамма-нейтронного воздействия
   
   Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1543–1546
9. Исследование генерации СВЧ сигналов в планарном диоде Ганна с учетом радиационного облучения
   
   Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1605–1609
10. Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1599–1604
11. Исследование распределения электронов в GaN и GaAs структурах после $\gamma$-нейтронного облучения
    
    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  331–338