RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Шенина Мария Евгеньевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Влияние оптического излучения на резистивное переключение в МДП-структурах на основе пленок ZrO$_{2}$(Y) с наночастицами Au

    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  754–757
  2. Резистивное переключение мемристоров на основе стабилизированного диоксида циркония сложными сигналами

    Физика твердого тела, 62:4 (2020),  556–561
  3. Резистивное переключение в мемристорах на основе гетероструктур Ag/Ge/Si

    Письма в ЖТФ, 46:2 (2020),  44–46
  4. Влияние облучения ионами Si$^{+}$ на резистивное переключение мемристивных структур на основе стабилизированного диоксида циркония

    Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  3–6
  5. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия пленок стабилизированного диоксида циркония со встроенными наночастицами Au, сформированными в процессе облучения ионами золота

    Физика твердого тела, 60:3 (2018),  591–595
  6. Plasmon resonance induced photoconductivity in the yttria stabilized zirconia films with embedded Au nanoclusters

    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  470
  7. Формирование плотных массивов наночастиц золота в тонких пленках стабилизированного диоксида циркония методом магнетронного распыления

    Письма в ЖТФ, 42:1 (2016),  72–79

  8. Особенности двумерных туннельных бифуркаций в условиях внешнего электрического поля

    Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2009, № 2,  123–135


© МИАН, 2024