Зубов Федор Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Сверхвысокое модовое усиление в инжекционных полосковых лазерах и микролазерах на основе квантовых точек InGaAs/GaAs
   
   Квантовая электроника, 52:7 (2022),  593–596
2. Мощность насыщения оптического усилителя на основе самоорганизующихся квантовых точек
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  820–825
3. Увеличение оптической мощности микродисковых лазеров InGaAs/GaAs, перенесенных на кремниевую подложку методом термокомпрессии
   
   Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  3–6
4. Энергопотребление при высокочастотной модуляции неохлаждаемого InGaAs/GaAs/AlGaAs-микродискового лазера
   
   Письма в ЖТФ, 47:13 (2021),  28–31
5. Паразитная рекомбинация в лазере с асимметричными барьерными слоями
   
   Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  296–303
6. Лазерная генерация перенесенных на кремний инжекционных микродисков с квантовыми точками InAs/InGaAs/GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 46:16 (2020),  3–6
7. Влияние саморазогрева на модуляционные характеристики микродискового лазера
   
   Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  3–7
8. Оценка вклада поверхностной рекомбинации в микродисковых лазерах с помощью высокочастотной модуляции
   
   Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1122–1127
9. Особенности вольт-амперной характеристики микродисковых лазеров на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 45:19 (2019),  37–39
10. Потребление энергии для высокочастотного переключения микродискового лазера с квантовыми точками
    
    Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  49–51
11. Температурная зависимость характеристик полупроводниковых лазеров с узкими квантовыми ямами спектрального диапазона 1.55 $\mu$m на основе бесфосфорных гетероструктур
    
    Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  20–23
12. Нарушение локальной электронейтральности в квантовой яме полупроводникового лазера с асимметричными барьерными слоями
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1518–1526
13. Подавление волноводной рекомбинации за счет использования парных асимметричных барьеров в лазерных гетероструктурах
    
    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  260–265
14. Высокая характеристическая температура лазера на квантовых точках InAs/GaAs/InGaAsP с длиной волны излучения около 1.5 мкм, синтезированного на подложке InP
    
    Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1382–1386
15. Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна
    
    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  540–546
16. Особенности волноводной рекомбинации в лазерных структурах с асимметричными барьерными слоями
    
    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  263–268
17. Генерация терагерцового излучения в многослойных квантово-каскадных гетероструктурах
    
    Письма в ЖТФ, 43:7 (2017),  86–94
18. Лазерные характеристики инжекционного микродиска с квантовыми точками и эффективность вывода излучения в свободное пространство
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1425–1428
19. Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1395–1400
20. Теория мощностных характеристик лазеров на квантовой яме с асимметричными барьерными слоями: учет асимметрии заполнения электронных и дырочных состояний
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1380–1386