RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Хрыкин Олег Игоревич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Влияние добавки хлорпентафторэтана в составе хлорсодержащей плазмы на скорость и характеристики профиля травления арсенида галлия

    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  837–840
  2. Проверка гипотезы о термоупругом характере деформации слоя (0001)GaN, выращенного на $a$-срезе сапфира

    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1380–1383
  3. Исследование анизотропии структурных свойств слоев (0001)GaN, выращенных методом МОГФЭ на $a$-срезе сапфира (11$\bar2$0)

    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1300–1303
  4. Низкотемпературное осаждение пленок SiN$_{x}$ в индуктивно-связанной плазме SiH$_{4}$/Ar + N$_{2}$ в условиях сильного разбавления силана аргоном

    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1503–1506
  5. Erratum to: “Atomic composition and electrical characteristics of epitaxial CVD diamond layers doped with boron”

    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1151
  6. Селективный анализ элементного состава нанокластеров InGaAs/GaAs методом вторично-ионной масс-спектрометрии

    Письма в ЖТФ, 43:10 (2017),  50–59
  7. Атомный состав и электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев CVD алмаза, легированных бором

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1595–1598
  8. Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1532–1536


© МИАН, 2024