|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Влияние добавки хлорпентафторэтана в составе хлорсодержащей плазмы на скорость и характеристики профиля травления арсенида галлия
Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 837–840
-
Проверка гипотезы о термоупругом характере деформации слоя (0001)GaN, выращенного на $a$-срезе сапфира
Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1380–1383
-
Исследование анизотропии структурных свойств слоев (0001)GaN, выращенных методом МОГФЭ на $a$-срезе сапфира (11$\bar2$0)
Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1300–1303
-
Низкотемпературное осаждение пленок SiN$_{x}$ в индуктивно-связанной плазме SiH$_{4}$/Ar + N$_{2}$ в условиях сильного разбавления силана аргоном
Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1503–1506
-
Erratum to: “Atomic composition and electrical characteristics of epitaxial CVD diamond layers doped with boron”
Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1151
-
Селективный анализ элементного состава нанокластеров InGaAs/GaAs методом вторично-ионной масс-спектрометрии
Письма в ЖТФ, 43:10 (2017), 50–59
-
Атомный состав и электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев CVD алмаза, легированных бором
Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1595–1598
-
Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота
Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1532–1536
© , 2024