Земляков Валерий Евгеньевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности температурной стабильности сопротивления омических контактов к наногетероструктурам на основе GaAs и GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1260–1263
2. Анализ влияния спейсерных слоев на нелинейные искажения вольт-амперных характеристик pHEMT на основе соединения GaAlAs/InGaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  872–876
3. Исследование ионной имплантации азота через слой нитрида кремния для межприборной изоляции силовых GaN/Si-транзисторов
   
   Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  15–17
4. Исследование влияния атомарного состава на скорость плазмохимического травления нитрида кремния в силовых транзисторах на основе AlGaN/GaN-гетероперехода
   
   Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  748–752
5. Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN
   
   Письма в ЖТФ, 45:15 (2019),  21–24
6. AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов
   
   Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  395–402
7. Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов
   
   Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1599–1604
8. Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе
   
   Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1401–1407
9. Исследование распределения электронов в GaN и GaAs структурах после $\gamma$-нейтронного облучения
   
   Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  331–338
10. Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/ AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  245–249
11. Нормально закрытые транзисторы на основе in situ пассивированных гетероструктур AlN/GaN
    
    Письма в ЖТФ, 42:14 (2016),  72–79
12. Cолнечно-слепые Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N ($x>$ 0.45) $p$–$i$–$n$-фотодиоды с поляризационно-легированным $p$-эмиттером
    
    Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  57–63