Власов Алексей Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Легированный кремнием GaSb, выращенный методом ГФЭМОС в широком диапазоне соотношений V/III
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  932–936
2. Замена туннельных переходов в InP на каналы проводимости с кристаллитами GaP
   
   Письма в ЖТФ, 47:22 (2021),  52–54
3. Выглаживание поверхности антимонида галлия
   
   Письма в ЖТФ, 46:23 (2020),  48–50
4. Латеральные наноструктуры Ga(In)AsP как часть оптической системы фотопреобразователей на основе GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1714–1717
5. Высокоомный антимонид галлия, полученный методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
   
   Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1599–1603
6. Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1512–1518
7. Люминесцентные свойства выращенных на InP слоев GaInAsP с градиентом состава по толщине
   
   Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  22–25
8. Исследование омических контактов мощных фотоэлектрических преобразователей
   
   Письма в ЖТФ, 45:1 (2019),  12–15
9. Фотоэлектрические AlGaAs/GaAs-преобразователи излучения тритиевых радиолюминесцентных ламп
   
   Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1647–1650
10. Рост наноструктур в системе Ga(In)AsP–GaAs в квазиравновесных условиях
    
    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1244–1249
11. Wigner localization and whispering gallery modes of electrons in quantum dots
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  478
12. Density control of InP/GaInP quantum dots grown by metal-organic vapor-phase epitaxy
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  477
13. Лазерная генерация в микродисках с активной областью на основе решеточно-согласованных InP/AlInAs наноструктур
    
    ЖТФ, 87:7 (2017),  1066–1070
14. Модельный расчет высокоскоростного соударения тел различной формы с массивными металлическими преградами
    
    ЖТФ, 87:7 (2017),  1033–1039
15. Формирование $p$-эмиттера с участием сурфактантов в GaAs фотоэлектрических преобразователях
    
    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  699–703
16. Модификация поверхности GaAs и наблюдение эффекта гигантского рамановского рассеяния после диффузии индия
    
    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  611–614
17. Высокоскоростное деформирование нанокристаллических железа и меди
    
    ЖТФ, 86:11 (2016),  70–74