Сушков Артем Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Сравнение гетероструктур А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$, выращенных на платформах Ge/Si, Ge/SOI и GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  978–988
2. Электрофизические характеристики многослойных мемристивных наноструктур на основе стабилизированного иттрием диоксида циркония и оксида тантала
   
   ЖТФ, 90:2 (2020),  298–304
3. Наращивание слоя Ge на структуру Si/SiO$_{2}$/Si (100) методом “горячей проволоки”
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1129–1133
4. Исследования поперечного среза и фотолюминесценции слоя GaAs, выращенного на подложке Si/Al$_{2}$O$_{3}$
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1271–1274
5. Комплексное применение спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции для диагностики многослойных гетероструктур
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1233–1236
6. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si
   
   Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1579–1582