Байдусь Николай Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Диссипативное туннелирование электронов в вертикально связанных двойных асимметричных квантовых точках InAs/GaAs(001)
   
   ЖТФ, 91:10 (2021),  1431–1440
2. Сравнение гетероструктур А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$, выращенных на платформах Ge/Si, Ge/SOI и GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  978–988
3. Влияние состава зародышевого слоя AlGaAs на формирование антифазных доменов в структурах (Al)GaAs, выращенных газофазной эпитаксией на подложках Ge/Si(100)
   
   Письма в ЖТФ, 47:8 (2021),  37–40
4. Лазерный GaAs-диод с волноводными квантовыми ямами InGaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1718–1720
5. Исследования поперечного среза и фотолюминесценции слоя GaAs, выращенного на подложке Si/Al$_{2}$O$_{3}$
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1271–1274
6. Субмонослойные квантовые точки InGaAs/GaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1159–1163
7. Выращивание методом МОС-гидридной эпитаксии субмонослойных квантовых точек InGaAs/GaAs для возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов
   
   Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  345–350
8. Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1443–1446
9. Стимулированное излучение на длине волны 1.3 $\mu$m в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001)
   
   Письма в ЖТФ, 44:16 (2018),  67–74
10. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1579–1582
11. Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1530–1533
12. Оптический тиристор на основе системы материалов GaAs/InGaP
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1443–1446
13. Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  695–698
14. Влияние “объема” активной среды на излучательные свойства лазерных гетероструктур с выходом излучения через подложку
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  75–78
15. Наногетероструктуры с улучшенными параметрами для быстродействующих и высокоэффективных плазмон-поляритонных светодиодов Шоттки
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1576–1582
16. Метод уменьшения ширины диаграммы направленности InGaAs/GaAs/AlGaAs многоямного гетеролазера
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1509–1512
17. Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1455–1458