|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Сравнение гетероструктур А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$, выращенных на платформах Ge/Si, Ge/SOI и GaAs
Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 978–988
-
Влияние состава зародышевого слоя AlGaAs на формирование антифазных доменов в структурах (Al)GaAs, выращенных газофазной эпитаксией на подложках Ge/Si(100)
Письма в ЖТФ, 47:8 (2021), 37–40
-
Исследования поперечного среза и фотолюминесценции слоя GaAs, выращенного на подложке Si/Al$_{2}$O$_{3}$
Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1271–1274
-
Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si
Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1443–1446
-
Стимулированное излучение на длине волны 1.3 $\mu$m в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001)
Письма в ЖТФ, 44:16 (2018), 67–74
-
Управление циркулярной поляризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/$\delta$ $\langle$Mn$\rangle$
Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2142–2147
-
Методы управления спиновой инжекцией в спиновых светоизлучающих диодах InGaAs/GaAs/Al$_{2}$O$_{3}$/CoPt
Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2135–2141
-
Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs / GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции
ЖТФ, 87:10 (2017), 1539–1544
-
Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si
Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1579–1582
-
Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке
Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1530–1533
-
Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001)
Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 695–698
-
Влияние концентрации примесей на люминесцентные свойства спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs с $\delta$-слоем Mn
Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 3–8
© , 2024