Зайцев Алексей Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности температурной стабильности сопротивления омических контактов к наногетероструктурам на основе GaAs и GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1260–1263
2. Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой > 120 K
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  989–994
3. Исследование ионной имплантации азота через слой нитрида кремния для межприборной изоляции силовых GaN/Si-транзисторов
   
   Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  15–17
4. Исследование морфологии поверхности, электрофизических характеристик и спектров фотолюминесценции эпитаксиальных плёнок GaAs на подложках GaAs (110)
   
   Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020),  877–884
5. Si-легированные эпитаксиальные пленки на подложках GaAs(110): морфология поверхности, электрофизические характеристики, спектры фотолюминесценции
   
   Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020),  1203–1210
6. Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN
   
   Письма в ЖТФ, 45:15 (2019),  21–24
7. Температурная зависимость порогового тока и выходной мощности квантово-каскадного лазера с частотой генерации 3.3 ТГц
   
   Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1268–1273
8. Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна
   
   Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  540–546