Виниченко Александр Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой > 120 K
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  989–994
2. Терагерцовое излучение фотопроводящих антенн на основе сверхрешеточных структур $\{$LT-GaAs/GaAs:Si$\}$
   
   Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020),  1004–1011
3. Электронный квантовый транспорт в псевдоморфных и метаморфных квантовых ямах на основе In$_{0.2}$Ga$_{0.8}$As
   
   Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  359–364
4. Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1447–1454
5. Transport in short-period GaAs/AlAs superlattices with electric domains
   
   Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  472
6. Электронный транспорт в квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs РНЕМТ при различных температурах: влияние одностороннего дельта-легирования Si
   
   Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  201–206
7. Эффективная масса и время релаксации импульса электронов в односторонне $\delta$-легированных PHEMT квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs с высокой электронной плотностью
   
   Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  120–127
8. Особенности ионизации доноров кремния и рассеяние электронов в псевдоморфных квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs при сильном одностороннем $\delta$-легировании
   
   Письма в ЖТФ, 44:4 (2018),  34–41
9. Влияние режима отжига на свойства терагерцевой фотопроводящей антенны на основе LT-GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 44:2 (2018),  11–17
10. Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP
    
    Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017),  792–797
11. Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах $n$-InGaAs/InAlAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1669–1674
12. Особенности диагностики метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии в режиме $\omega$-сканирования
    
    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  567–573