Клочков Алексей Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой > 120 K
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  989–994
2. Терагерцовое излучение фотопроводящих антенн на основе сверхрешеточных структур $\{$LT-GaAs/GaAs:Si$\}$
   
   Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020),  1004–1011
3. Исследование морфологии поверхности, электрофизических характеристик и спектров фотолюминесценции эпитаксиальных плёнок GaAs на подложках GaAs (110)
   
   Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020),  877–884
4. Si-легированные эпитаксиальные пленки на подложках GaAs(110): морфология поверхности, электрофизические характеристики, спектры фотолюминесценции
   
   Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020),  1203–1210
5. Электрофизические и фотолюминесцентные исследования сверхрешeток $\{\mathrm{LT}-\mathrm{GaAs/GaAs} : \mathrm{Si}\}$ выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентацией (100) и (111)А
   
   Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  258–266
6. Исследование временной динамики фотовозбужденных носителей заряда в сверхрешетках In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As при воздействии фемтосекундными лазерными импульсами
   
   Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  723–728
7. Фотолюминесцентные исследования легированных кремнием эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А при пониженных температурах
   
   Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  395–401
8. Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP
   
   Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017),  792–797
9. Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна
   
   Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  540–546
10. Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411) A
    
    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  322–330