Умирзаков Балтоходжа Ерматович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Псевдощель, нанокристаллы и электропроводность легированного силикатного стекла
   
   ЖТФ, 91:2 (2021),  281–286
2. Состав и морфология поверхности Si(111) с поверхностной пленкой SiO$_{2}$ разной толщины
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1045–1048
3. Изучение критического угла каналирования ионов активных металлов через тонкие пленки алюминия
   
   Письма в ЖТФ, 47:23 (2021),  12–14
4. Влияние адсорбции атомов Ba на состав, эмиссионные и оптические свойства монокристаллов CdS
   
   Письма в ЖТФ, 47:12 (2021),  3–5
5. Влияние поэтапного постимплантационного отжига на состав и структуру поверхностных слоев кремния, имплантированного ионами щелочных металлов
   
   Письма в ЖТФ, 47:1 (2021),  15–19
6. Влияние имплантации ионов Ba$^{+}$ на состав и электронные свойства пленок MoO$_{3}$/Mo (111)
   
   ЖТФ, 90:5 (2020),  831–834
7. Модификация свойств поверхности свободных пленок Si–Cu имплантацией ионов активных металлов
   
   ЖТФ, 90:1 (2020),  123–127
8. Влияние разупорядочения тонких поверхностных слоев на электронные и оптические свойства Si (111)
   
   Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020),  1211–1216
9. Влияние имплантации ионов Al$^{+}$ на состав, электронную и кристаллическую структуру поверхности GaP(111)
   
   Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  716–719
10. Кристаллическая структура и ширина запрещенной зоны наноразмерных фаз Si, созданных на различных глубинах приповерхностной области SiO$_{2}$
    
    Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  32–34
11. Эмиссионные свойства сплава Pb–Ba, активированного лазерным облучением
    
    ЖТФ, 89:10 (2019),  1626–1629
12. Исследование изменения кристаллической структуры поверхности Si(111) при ионной бомбардировке и последующего отжига
    
    ЖТФ, 89:10 (2019),  1611–1614
13. Электронные и оптические свойства тонких пленок GaAlAs/GaAs
    
    ЖТФ, 89:10 (2019),  1589–1591
14. Глубина выхода вторичных и фотоэлектронов из пленок CdTe с пленкой Ba
    
    ЖТФ, 89:7 (2019),  1115–1117
15. Формирование наноразмерных пленок SiO$_{2}$ на поверхности свободной пленочной системы Si/Cu при имплантации ионов O$_{2}^{+}$
    
    ЖТФ, 89:6 (2019),  935–937
16. Электронные и оптические свойства нанопленок NiSi$_{2}$/Si
    
    ЖТФ, 89:5 (2019),  759–761
17. Морфология и электронные свойства наноразмерных структур Si, созданных на поверхности CaF$_{2}$
    
    ЖТФ, 89:2 (2019),  264–267
18. Влияние образования силицидов на удельное сопротивление кремния
    
    Письма в ЖТФ, 45:7 (2019),  49–51
19. Структура и свойства двухслойной наноразмерной системы CoSi$_{2}$/Si/CoSi$_{2}$/Si, полученной ионной имплантацией
    
    ЖТФ, 88:12 (2018),  1859–1862
20. Состав и структура наноразмерных слоев Ga$_{1-x}$Na$_{x}$As, созданных в приповерхностной области GaAs имплантацией ионов Na$^{+}$
    
    ЖТФ, 87:12 (2017),  1884–1886
21. Прохождение электромагнитных излучений через тонкие пленки Cu
    
    ЖТФ, 86:6 (2016),  156–158
22. Состав морфология и электронная структура наноразмерных фаз, созданных на поверхности SiO$_{2}$ бомбардировкой ионами Ar$^{+}$
    
    ЖТФ, 86:4 (2016),  148–150