Шубина Ксения Юрьевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Изготовление и тестирование в мягком рентгеновском и ЭУФ диапазонах дифракционных решеток с Au- и многослойным Mo/Si-покрытиями и с блеском в высоких порядках
   
   Квантовая электроника, 52:10 (2022),  955–962
2. Дифракционные решетки с блеском, получаемые на пластинах Si – первые результаты
   
   ЖТФ, 91:10 (2021),  1538–1547
3. Влияние быстрого термического отжига на распределение атомов азота в GaAsN/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1077–1080
4. Исследование фотоотклика графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы
   
   Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  833–840
5. Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si
   
   Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2289–2293
6. Металл-усиленное фотохимическое травление N- и Ga-полярных эпитаксиальных слоев GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1726–1732
7. Особенности МПЭ ПА синтеза слоев $n^{+}$-GaN на виртуальных подложках GaN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1212–1217
8. Особенности начальных стадий роста GaN на подложках Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1425–1429
9. Влияние параметров нитридизации и начальных ростовых условий на полярность эпитаксиальных слоев GaN, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией с плазменной активацией азота на подложках Si(111)
   
   Письма в ЖТФ, 43:21 (2017),  47–54