Никитина Екатерина Викторовна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние быстрого термического отжига на распределение атомов азота в GaAsN/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1077–1080
2. Высокоточная характеризация сверхмногопериодных AlGaAs/GaAs-сверхрешеток с помощью рентгеновской рефлектометрии на синхротронном источнике
   
   Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  7–10
3. Коррекция характеристик кремниевых фотодиодов путем применения ионной имплантации
   
   Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  557–563
4. Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/$por$-Si/Si(111)
   
   Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  346–354
5. Металл-усиленное фотохимическое травление N- и Ga-полярных эпитаксиальных слоев GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1726–1732
6. Особенности МПЭ ПА синтеза слоев $n^{+}$-GaN на виртуальных подложках GaN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1212–1217
7. Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки
   
   Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  70–76
8. Особенности начальных стадий роста GaN на подложках Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1425–1429
9. Исследование спонтанной эмиссии в брэгговских монослойных квантовых ямах InAs
   
   Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  736–740
10. Growth of GaN layers on Si(111) substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  524
11. Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4$^\circ$
    
    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  276–280
12. Влияние параметров нитридизации и начальных ростовых условий на полярность эпитаксиальных слоев GaN, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией с плазменной активацией азота на подложках Si(111)
    
    Письма в ЖТФ, 43:21 (2017),  47–54
13. Влияние конструкции метаморфного буферного слоя на сохраняемость параметров метаморфного транзистора InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов
    
    Письма в ЖТФ, 43:18 (2017),  97–102
14. Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика твердого тела, 58:10 (2016),  1886–1889
15. Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 5.8 мкм при комнатной температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1320–1324
16. Гетероструктуры GaAs/InGaAsN для многопереходных солнечных элементов
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  663–667
17. Лазерная генерация вертикальных микрорезонаторов с массивами квантовых точек InAs/InGaAs на длине волны 1.3 $\mu$m при оптической накачке
    
    Письма в ЖТФ, 42:19 (2016),  70–79
18. Влияние конструкции переходного слоя In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As на транспортные характеристики метаморфного транзистора с высокой подвижностью электронов
    
    Письма в ЖТФ, 42:6 (2016),  14–19