Соболев Максим Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние быстрого термического отжига на распределение атомов азота в GaAsN/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1077–1080
2. Высокоточная характеризация сверхмногопериодных AlGaAs/GaAs-сверхрешеток с помощью рентгеновской рефлектометрии на синхротронном источнике
   
   Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  7–10
3. Глубокая рентгеновская рефлектометрия сверхмногопериодных A3B5-структур с квантовыми ямами, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   ЖТФ, 90:11 (2020),  1906–1912
4. Особенности МПЭ ПА синтеза слоев $n^{+}$-GaN на виртуальных подложках GaN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1212–1217
5. Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111)
   
   Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  190–198
6. Особенности начальных стадий роста GaN на подложках Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1425–1429
7. Growth of GaN layers on Si(111) substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy
   
   Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  524
8. Влияние конструкции метаморфного буферного слоя на сохраняемость параметров метаморфного транзистора InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов
   
   Письма в ЖТФ, 43:18 (2017),  97–102
9. Гетероструктуры GaAs/InGaAsN для многопереходных солнечных элементов
   
   Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  663–667
10. Влияние конструкции переходного слоя In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As на транспортные характеристики метаморфного транзистора с высокой подвижностью электронов
    
    Письма в ЖТФ, 42:6 (2016),  14–19