Гармаш Валентин Игоревич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности температурной стабильности сопротивления омических контактов к наногетероструктурам на основе GaAs и GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1260–1263
2. Исследование ионной имплантации азота через слой нитрида кремния для межприборной изоляции силовых GaN/Si-транзисторов
   
   Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  15–17
3. Исследование влияния атомарного состава на скорость плазмохимического травления нитрида кремния в силовых транзисторах на основе AlGaN/GaN-гетероперехода
   
   Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  748–752