|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Архитектура мезы и эффективность InGaP/Ga(In)As/Ge солнечных элементов
ЖТФ, 91:7 (2021), 1067–1074
-
Разработка и исследование туннельных $p$–$i$–$n$-диодов GaAs/AlGaAs для многопереходных преобразователей мощного лазерного излучения
Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 285–291
-
Гибридные солнечные элементы с системой концентрации оптического излучения
Письма в ЖТФ, 45:16 (2019), 52–54
-
Влияние структуры омических контактов на характеристики GaAs/AlGaAs фотоэлектрических преобразователей
ЖТФ, 88:8 (2018), 1211–1215
-
Изготовление и исследование коммутирующих $p$–$n$-переходов для каскадных фотопреобразователей
Письма в ЖТФ, 44:24 (2018), 25–31
-
Влияние механизмов токопрохождения на эффективность фотодиодов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs
Письма в ЖТФ, 44:22 (2018), 33–41
-
Радиационная стойкость гетеропереходных солнечных элементов $\alpha$-Si : H/Si с тонким внутренним слоем $i$-$\alpha$-Si : H
Письма в ЖТФ, 44:17 (2018), 95–102
-
Исследование процесса отвода тепла на границе полупроводник-керамика в солнечных элементах лазерным термоволновым методом
Письма в ЖТФ, 42:11 (2016), 33–40
© , 2024