Круглов Александр Валерьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Резистивное переключение в отдельных ферромагнитных филаментах мемристорных структур на основе ZrO$_{2}$(Y)/Ni
   
   ЖТФ, 91:10 (2021),  1474–1478
2. Демонстрация эффекта резистивного переключения отдельных филаментов в мемристорных структурах Ag/Ge/Si методом атомно-силовой микроскопии
   
   Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  23–26
3. Формирование наноразмерных ферромагнитных филаментов Ni в пленках ZrO$_{2}$(Y)
   
   Письма в ЖТФ, 47:11 (2021),  30–32
4. Резистивное переключение в структурах металл–оксид–полупроводник с наноостровками GeSi на подложке кремния
   
   ЖТФ, 90:10 (2020),  1741–1749
5. Резистивное переключение в мемристорах на основе гетероструктур Ag/Ge/Si
   
   Письма в ЖТФ, 46:2 (2020),  44–46
6. Субмонослойные квантовые точки InGaAs/GaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1159–1163
7. Выращивание методом МОС-гидридной эпитаксии субмонослойных квантовых точек InGaAs/GaAs для возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов
   
   Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  345–350