|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Tunneling recombination in GaN/InGaN LEDs with a single quantum well
Наносистемы: физика, химия, математика, 15:2 (2024), 204–214
-
Деградация структур на основе InGaN/GaN под действием $\gamma$-облучения
Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2022, № 3, 72–84
-
Влияние подсветки на вольт-амперные характеристики структур на основе InGaN/GaN при обратном смещении
Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 21:4 (2021), 372–380
-
Влияние $\gamma$-облучения на электрические и оптические характеристики светодиодов на основе InGаN/GаN
Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2020, № 4, 69–79
-
Вольт-амперные характеристики структур на основе InGaN/GaN при высоком уровне инжекции
Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2019, № 2, 75–86
-
Фотоприемники на основе CuInS$_{2}$
Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 106–111
-
Определение энергетических параметров электронных состояний в полупроводниковых углеродных нанотрубках
Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2012, № 4, 205–213
-
Моделирование процессов переноса тока в углеродных нанотрубках
Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2009, № 3, 138–144
© , 2024