Лунин Леонид Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Growth of nanotextured thin films of GaInAsP and GaInAsSbBi solid solutions on GaP substrates by pulsed laser deposition
   
   Наносистемы: физика, химия, математика, 14:5 (2023),  601–605
2. Варизонные гетероструктуры Al$_{x}$In$_{y}$Ga$_{1-x-y}$P$_{z}$As$_{1-z}$/GaAs для фотоэлектрических преобразователей
   
   Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  27–30
3. Импульсные характеристики кремниевых фотоэлектрических преобразователей, облученных низкоэнергетическими протонами
   
   Письма в ЖТФ, 47:7 (2021),  10–12
4. Особенности фазовых переходов в висмутсодержащих упругонапряженных гетеросистемах AlGaInSbBi–InSb
   
   Физика твердого тела, 62:4 (2020),  523–528
5. Твердые растворы AlGaInSbAs, выращенные на подложках InAs методом зонной перекристаллизации градиентом температуры
   
   Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020),  648–653
6. Влияние радиационных дефектов, созданных низкоэнергетическими протонами при температуре 83 K, на характеристики кремниевых фотоэлектрических структур
   
   Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  144–148
7. Изопериодические гетероструктуры Ga$_{x}$In$_{1-x}$Sb$_{y}$As$_{z}$P$_{1-y-z}$/InP для планарных $p$–$n$-фотодиодов
   
   Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  38–41
8. Применение полимерных пленок с наночастицами серебра для улучшения спектральных характеристик фотоэлектрических преобразователей
   
   Письма в ЖТФ, 46:2 (2020),  51–54
9. Влияние висмута на свойства упругонапряженных гетероструктур AlGaInAsP$\langle\mathrm{Bi}\rangle$/InP
   
   Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1110–1114
10. Изопараметрические гетероструктуры AlInGaAsP/InP и их свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  903–907
11. Ионно-лучевое осаждение тонких пленок AlN на Al$_{2}$O$_{3}$
    
    Письма в ЖТФ, 45:24 (2019),  21–24
12. Гетероструктуры Ga$_{x}$In$_{1-x}$As$_{y}$Bi$_{z}$Sb$_{1-y-z}$/InSb для фотоприемных устройств ($\lambda$ = 6–12 $\mu$m)
    
    Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  27–29
13. Каскадные солнечные элементы на основе наногетероструктур GaP/Si/Ge
    
    Письма в ЖТФ, 45:6 (2019),  7–9
14. Влияние висмута на структурное совершенство и люминесцентные свойства тонкопленочных упругонапряженных гетероструктур Al$_{x}$In$_{y}$Ga$_{1-x-y}$Bi$_{z}$Sb$_{1-z}$/GaSb
    
    Физика твердого тела, 60:7 (2018),  1277–1282
15. Тонкопленочные гетероструктуры In$_{x}$Al$_{y}$Ga$_{1-x-y}$As$_{z}$Sb$_{1-z}$/GaSb, выращенные в поле температурного градиента
    
    Физика твердого тела, 60:5 (2018),  888–896
16. Влияние концентрации наночастиц серебра в функциональных покрытиях TiO$_{2}$–Ag на характеристики фотопреобразователей GaInP/GaAs/Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  860–864
17. Исследование структурных и люминесцентных свойств гетероструктур InAs/GaAs с легированными Bi потенциальными барьерами
    
    Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  581–585
18. Наногетероструктуры AlInGaPAs/GaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей, полученные методом импульсного лазерного напыления
    
    Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  75–80
19. Гетероструктуры AlInPSbAs/InAs для термофотоэлектрических преобразователей
    
    Письма в ЖТФ, 44:23 (2018),  3–8
20. Выращивание и свойства изопараметрических гетероструктур InAlGaPAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1426–1433
21. Импульсное лазерное напыление тонких пленок Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As и GaP на подложках Si для фотопреобразователей
    
    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  403–408
22. Кристаллические дефекты в фотопреобразователях, полученных методом термомиграции
    
    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  297–301
23. Выращивание и свойства изопериодных твердых растворов GaInPSbAs на подложках арсенида индия
    
    Физика твердого тела, 58:9 (2016),  1695–1700
24. Синтез и исследование свойств тонких пленок TiO$_{2}$, легированных наночастицами серебра, для просветляющих покрытий и прозрачных контактов фотопреобразователей
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1253–1257
25. Особенности легирования сурьмой в процессе ионно-лучевой кристаллизации кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  553–556