RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Черных Игорь Анатольевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Магнетосопротивление и симметрия двумерного электронного газа гетероструктур AlGaN/AlN/GaN

    Письма в ЖЭТФ, 119:8 (2024),  598–603
  2. Особенности роста гетероструктур нитрида галлия на подложках кремния: управляемая пластическая деформация

    Письма в ЖТФ, 47:14 (2021),  26–29
  3. Подложки с алмазным теплоотводом для эпитаксиального роста GaN

    Письма в ЖТФ, 47:7 (2021),  13–16
  4. Квантовая когерентность и эффект Кондо в двумерном электронном газе магнитно-нелегированных гетероструктур AlGaN/GaN

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  962–967
  5. Мощностные характеристики нитрид-галлиевых СВЧ-транзисторов на подложках кремния

    Письма в ЖТФ, 46:5 (2020),  11–14
  6. Омические контакты к оксиду европия для устройств спинтроники

    Письма в ЖТФ, 45:7 (2019),  38–40
  7. Сверхпроводящий контакт для ВТСП-лент второго поколения

    Письма в ЖТФ, 45:7 (2019),  18–20
  8. Изучение характеристик транзисторов на гетероструктурах нитрида галлия, выращенных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках сапфира и кремния

    Письма в ЖТФ, 45:4 (2019),  52–54
  9. Туннельный ток во встречных диодах Шоттки, образованных контактами между вырожденным GaN $n$-типа и металлом

    Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  630–636


© МИАН, 2024