|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Магнетосопротивление и симметрия двумерного электронного газа гетероструктур AlGaN/AlN/GaN
Письма в ЖЭТФ, 119:8 (2024), 598–603
-
Особенности роста гетероструктур нитрида галлия на подложках кремния: управляемая пластическая деформация
Письма в ЖТФ, 47:14 (2021), 26–29
-
Подложки с алмазным теплоотводом для эпитаксиального роста GaN
Письма в ЖТФ, 47:7 (2021), 13–16
-
Квантовая когерентность и эффект Кондо в двумерном электронном газе магнитно-нелегированных гетероструктур AlGaN/GaN
Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 962–967
-
Мощностные характеристики нитрид-галлиевых СВЧ-транзисторов на подложках кремния
Письма в ЖТФ, 46:5 (2020), 11–14
-
Омические контакты к оксиду европия для устройств спинтроники
Письма в ЖТФ, 45:7 (2019), 38–40
-
Сверхпроводящий контакт для ВТСП-лент второго поколения
Письма в ЖТФ, 45:7 (2019), 18–20
-
Изучение характеристик транзисторов на гетероструктурах нитрида галлия, выращенных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках сапфира и кремния
Письма в ЖТФ, 45:4 (2019), 52–54
-
Туннельный ток во встречных диодах Шоттки, образованных контактами между вырожденным GaN $n$-типа и металлом
Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 630–636
© , 2024