Андреев Александр Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Магнетосопротивление и симметрия двумерного электронного газа гетероструктур AlGaN/AlN/GaN
   
   Письма в ЖЭТФ, 119:8 (2024),  598–603
2. Подложки с алмазным теплоотводом для эпитаксиального роста GaN
   
   Письма в ЖТФ, 47:7 (2021),  13–16
3. Мощностные характеристики нитрид-галлиевых СВЧ-транзисторов на подложках кремния
   
   Письма в ЖТФ, 46:5 (2020),  11–14
4. Омические контакты к оксиду европия для устройств спинтроники
   
   Письма в ЖТФ, 45:7 (2019),  38–40
5. Изучение характеристик транзисторов на гетероструктурах нитрида галлия, выращенных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках сапфира и кремния
   
   Письма в ЖТФ, 45:4 (2019),  52–54
6. Туннельный ток во встречных диодах Шоттки, образованных контактами между вырожденным GaN $n$-типа и металлом
   
   Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  630–636
7. Влияние низкотемпературного надбарьерного слоя GaN на концентрацию электронов в гетероструктуре AlGaN/GaN
   
   ЖТФ, 87:8 (2017),  1275–1278