Николаев Андрей Евгеньевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Светодиод на основе AlInGaN-гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления
   
   Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  3–6
2. Особенности эпитаксиального роста III – N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si
   
   Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  15–18
3. ПЭМ-исследование многослойных буферных структур AlN–AlGaN–GaN на кремниевых подложках
   
   Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  50–54
4. Особенности МПЭ ПА синтеза слоев $n^{+}$-GaN на виртуальных подложках GaN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1212–1217
5. Влияние метода формирования высокоомного буферного слоя GaN на свойства гетероструктур InAlN/GaN и AlGaN/GaN с двумерным электронным газом
   
   Письма в ЖТФ, 44:13 (2018),  51–58
6. Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций
   
   Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1263–1269
7. Влияние условий выращивания на морфологию поверхности и развитие механических напряжений в слоях Al(Ga)N в процессе газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
   
   Письма в ЖТФ, 42:8 (2016),  86–93