Усов Сергей Олегович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности эпитаксиального роста III – N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si
   
   Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  15–18
2. Влияние давления при эпитаксии на свойства слоев GaN
   
   Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  3–6
3. GaN selective epitaxy in sub-micron windows with different depths formed by ion beam nanolithography
   
   Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2333
4. Селективный эпитаксиальный рост III–N-структур с использованием ионной нанолитографии
   
   Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1237–1243
5. Нитевидные светодиодные микрокристаллы InGaN/GaN субмиллиметровой длины
   
   Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  101–104
6. Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе
   
   Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1401–1407
7. Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций
   
   Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1263–1269