Черняков Антон Евгеньевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности работы мощных AlInGaN-светодиодов при больших импульсных токах
   
   Письма в ЖТФ, 47:16 (2021),  32–35
2. Температурное падение эффективности мощных синих InGaN/GaN-светодиодов
   
   Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  45–48
3. Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы
   
   Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  804–811
4. Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs
   
   Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  269–275
5. Фрактальная природа светоизлучающих структур на основе III–N наноматериалов и связанные с ней явления
   
   Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1195–1201
6. Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом
   
   Письма в ЖТФ, 42:21 (2016),  39–46
7. Взаимосвязь надежности AlGaN/GaN транзисторов с характером организации наноматериала
   
   Письма в ЖТФ, 42:13 (2016),  80–86