|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Исследование потерь пропускания в поликристаллическом CVD-алмазе в миллиметровом диапазоне длин волн методом свободного пространства
Письма в ЖТФ, 47:18 (2021), 43–46
-
Фотолюминесцентные исследования легированных кремнием эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А при пониженных температурах
Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 395–401
-
Электрические и тепловые свойства фотопроводящих антенн на основе In$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x>$ 0.3) с метаморфным буферным слоем для генерации терагерцового излучения
Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1267–1272
-
Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP
Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 792–797
-
Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна
Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 540–546
-
Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем
Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 535–539
-
Генерация и детектирование терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)A
Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 529–534
-
Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411) A
Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 322–330
-
Исследование процессов изготовления HEMT AlGaN/AlN/GaN c пассивацией Si$_{3}$N$_{4}$ in situ
Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1434–1438
-
Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs
Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1395–1400
-
Лазерное моделирование переходных радиационных эффектов в гетероструктурных элементах на полупроводниковых соединениях А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$
Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 223–228
-
Структурные и фотолюминесцентные свойства низкотемпературного GaAs, выращенного на подложках GaAs (100) и GaAs (111)A
Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 195–203
-
Электронный транспорт и оптические свойства структур с нанонитями из атомов олова на вицинальных подложках GaAs
Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 185–190
© , 2024