|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Исследование фотоэлектрических характеристик GaAs-фотопреобразователей при различном расположении массива квантовых точек InGaAs в $i$-области
Письма в ЖТФ, 47:21 (2021), 28–31
-
Увеличение эффективности трехпереходных солнечных элементов за счет метаморфного InGaAs-субэлемента
Письма в ЖТФ, 47:18 (2021), 51–54
-
Влияние числа рядов GaInAs-квантовых объектов на ток насыщения GaAs-фотопреобразователей
Письма в ЖТФ, 46:12 (2020), 30–33
-
Определение по спектру фототока ширины запрещенной зоны Ga$_{1-x}$In$_{x}$As $p$–$n$-переходов на метаморфном буфере
Письма в ЖТФ, 46:7 (2020), 29–31
-
Противодействующий фотовольтаический эффект в верхней межгенераторной части трехпереходных GaInP/GaAs/Ge солнечных элементов
Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1568–1572
-
Аномалии в фотовольтаических характеристиках многопереходных солнечных элементов при сверхвысоких концентрациях солнечного излучения
Письма в ЖТФ, 45:21 (2019), 37–39
-
Рекомбинация в GaAs $p$-$i$-$n$-структурах с InGaAs квантово-размерными объектами: моделирование и закономерности
Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1126–1130
-
Растекание тока в солнечных элементах: двухпараметрическая трубковая модель
Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 987–992
© , 2024