Редьков Алексей Викторович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Механические свойства композитного покрытия SiC на графите, полученного методом замещения атомов
   
   Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  7–10
2. Рост объемных эпитаксиальных пленок AlN полуполярной ориентации на подложках Si (001) и гибридных подложках SiC/Si (001)
   
   Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  22–25
3. Рост ограненных пор в кристалле по механизму Бартона–Кабреры–Франка
   
   Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2385–2389
4. Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов
   
   Физика твердого тела, 61:3 (2019),  433–440
5. Рост полупроводниковых III–V гетероструктур на подложках SiC/Si
   
   Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  24–27
6. Новая тригональная (ромбоэдрическая) фаза SiC: ab initio расчеты, симметрийный анализ и рамановские спектры
   
   Физика твердого тела, 60:10 (2018),  2022–2027
7. Отделение эпитаксиальных гетероструктур III–N/SiC от подложки Si и их перенос на подложки других типов
   
   Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  414–420
8. Моделирование процесса индентирования наномасштабных пленок на подложках методом молекулярной динамики
   
   Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  64–72