RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Алфимова Дина Леонидовна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Варизонные гетероструктуры Al$_{x}$In$_{y}$Ga$_{1-x-y}$P$_{z}$As$_{1-z}$/GaAs для фотоэлектрических преобразователей

    Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  27–30
  2. Особенности фазовых переходов в висмутсодержащих упругонапряженных гетеросистемах AlGaInSbBi–InSb

    Физика твердого тела, 62:4 (2020),  523–528
  3. Твердые растворы AlGaInSbAs, выращенные на подложках InAs методом зонной перекристаллизации градиентом температуры

    Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020),  648–653
  4. Изопериодические гетероструктуры Ga$_{x}$In$_{1-x}$Sb$_{y}$As$_{z}$P$_{1-y-z}$/InP для планарных $p$$n$-фотодиодов

    Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  38–41
  5. Влияние висмута на свойства упругонапряженных гетероструктур AlGaInAsP$\langle\mathrm{Bi}\rangle$/InP

    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1110–1114
  6. Изопараметрические гетероструктуры AlInGaAsP/InP и их свойства

    Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  903–907
  7. Гетероструктуры Ga$_{x}$In$_{1-x}$As$_{y}$Bi$_{z}$Sb$_{1-y-z}$/InSb для фотоприемных устройств ($\lambda$ = 6–12 $\mu$m)

    Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  27–29
  8. Каскадные солнечные элементы на основе наногетероструктур GaP/Si/Ge

    Письма в ЖТФ, 45:6 (2019),  7–9
  9. Влияние висмута на структурное совершенство и люминесцентные свойства тонкопленочных упругонапряженных гетероструктур Al$_{x}$In$_{y}$Ga$_{1-x-y}$Bi$_{z}$Sb$_{1-z}$/GaSb

    Физика твердого тела, 60:7 (2018),  1277–1282
  10. Наногетероструктуры AlInGaPAs/GaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей, полученные методом импульсного лазерного напыления

    Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  75–80
  11. Гетероструктуры AlInPSbAs/InAs для термофотоэлектрических преобразователей

    Письма в ЖТФ, 44:23 (2018),  3–8
  12. Выращивание и свойства изопараметрических гетероструктур InAlGaPAs/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1426–1433
  13. Выращивание и свойства изопериодных твердых растворов GaInPSbAs на подложках арсенида индия

    Физика твердого тела, 58:9 (2016),  1695–1700


© МИАН, 2024