|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Варизонные гетероструктуры Al$_{x}$In$_{y}$Ga$_{1-x-y}$P$_{z}$As$_{1-z}$/GaAs для фотоэлектрических преобразователей
Письма в ЖТФ, 47:20 (2021), 27–30
-
Особенности фазовых переходов в висмутсодержащих упругонапряженных гетеросистемах AlGaInSbBi–InSb
Физика твердого тела, 62:4 (2020), 523–528
-
Твердые растворы AlGaInSbAs, выращенные на подложках InAs методом зонной перекристаллизации градиентом температуры
Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020), 648–653
-
Изопериодические гетероструктуры Ga$_{x}$In$_{1-x}$Sb$_{y}$As$_{z}$P$_{1-y-z}$/InP для планарных $p$–$n$-фотодиодов
Письма в ЖТФ, 46:19 (2020), 38–41
-
Влияние висмута на свойства упругонапряженных гетероструктур AlGaInAsP$\langle\mathrm{Bi}\rangle$/InP
Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1110–1114
-
Изопараметрические гетероструктуры AlInGaAsP/InP и их свойства
Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 903–907
-
Гетероструктуры Ga$_{x}$In$_{1-x}$As$_{y}$Bi$_{z}$Sb$_{1-y-z}$/InSb для фотоприемных устройств ($\lambda$ = 6–12 $\mu$m)
Письма в ЖТФ, 45:16 (2019), 27–29
-
Каскадные солнечные элементы на основе наногетероструктур GaP/Si/Ge
Письма в ЖТФ, 45:6 (2019), 7–9
-
Влияние висмута на структурное совершенство и люминесцентные свойства тонкопленочных упругонапряженных гетероструктур Al$_{x}$In$_{y}$Ga$_{1-x-y}$Bi$_{z}$Sb$_{1-z}$/GaSb
Физика твердого тела, 60:7 (2018), 1277–1282
-
Наногетероструктуры AlInGaPAs/GaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей, полученные методом импульсного лазерного напыления
Письма в ЖТФ, 44:24 (2018), 75–80
-
Гетероструктуры AlInPSbAs/InAs для термофотоэлектрических преобразователей
Письма в ЖТФ, 44:23 (2018), 3–8
-
Выращивание и свойства изопараметрических гетероструктур InAlGaPAs/GaAs
Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1426–1433
-
Выращивание и свойства изопериодных твердых растворов GaInPSbAs на подложках арсенида индия
Физика твердого тела, 58:9 (2016), 1695–1700
© , 2024