RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Окулич Евгения Викторовна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Расчет доз аморфизации кремния при облучении легкими ионами средних энергий

    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  771–777
  2. Влияние кислородных вакансий на формирование и структуру филамента в мемристорах на основе диоксида кремния

    Письма в ЖТФ, 46:1 (2020),  24–27
  3. Влияние облучения ионами Si$^{+}$ на резистивное переключение мемристивных структур на основе стабилизированного диоксида циркония

    Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  3–6
  4. Расчет влияния плотности ионного тока и температуры на кинетику накопления точечных дефектов при облучении кремния легкими ионами

    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  967–972
  5. Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN

    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  274–278


© МИАН, 2024