Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Расчет доз аморфизации кремния при облучении легкими ионами средних энергий
Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 771–777
-
Влияние кислородных вакансий на формирование и структуру филамента в мемристорах на основе диоксида кремния
Письма в ЖТФ, 46:1 (2020), 24–27
-
Влияние облучения ионами Si$^{+}$ на резистивное переключение мемристивных структур на основе стабилизированного диоксида циркония
Письма в ЖТФ, 45:14 (2019), 3–6
-
Расчет влияния плотности ионного тока и температуры на кинетику накопления точечных дефектов при облучении кремния легкими ионами
Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 967–972
-
Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN
Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 274–278
© , 2024