Пантелеев Валерий Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Пластическая релаксация напряженного полуполярного AlN(10$\bar1$1) слоя, синтезированного на наноструктурированной Si(100) подложке
   
   ЖТФ, 90:12 (2020),  2123–2126
2. Газофазная эпитаксия слоев AlN на темплейте AlN/Si(111), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления
   
   Письма в ЖТФ, 46:8 (2020),  29–31
3. Хлорид-гидридная газофазная эпитаксия полуполярного слоя AlN(10$\bar{1}$2) на наноструктурированной подложке Si(100)
   
   Письма в ЖТФ, 46:2 (2020),  12–14
4. Синтез гексагональных слоев AlN и GaN на Si(100)-подложке методом хлоридной газофазной эпитаксии
   
   ЖТФ, 89:4 (2019),  574–577
5. Эпитаксия слоев GaN(0001) или GaN(10$\bar1$1) на подложке Si(100)
   
   Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  3–5
6. Гексагональные слои AlN, выращенные на сульфидированной Si(100)-подложке
   
   Письма в ЖТФ, 44:2 (2018),  96–103
7. Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si
   
   Физика твердого тела, 59:4 (2017),  660–667
8. Локальные термоэлектрические эффекты в широкозонных полупроводниках
   
   Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017),  921–924


9. Comparative study of conventional and quasi-freestanding epitaxial graphenes grown on 4$H$-SiC substrate
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1383