Малышева Евгения Игоревна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Дальнодействующее магнитное взаимодействие в гетероструктурах InGaAs/GaAs/$\delta$-$\langle$Mn$\rangle$
   
   Письма в ЖТФ, 46:2 (2020),  40–43
2. Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путeм постростовых воздействий
   
   Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2141–2146
3. Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями
   
   Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  873–880
4. Управление циркулярной поляризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/$\delta$ $\langle$Mn$\rangle$
   
   Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2142–2147
5. Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs / GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции
   
   ЖТФ, 87:10 (2017),  1539–1544
6. Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/GaAs, легированными атомами переходных элементов. I. Фотолюминесцентные свойства
   
   ЖТФ, 87:9 (2017),  1389–1394
7. Туннелирование и инжекция в ферромагнитных структурах InGaAs/GaAs/(Ga,Mn)As и InGaAs/$n^{+}$-GaAs/(Ga,Mn)As
   
   Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2190–2194
8. Влияние концентрации примесей на люминесцентные свойства спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs с $\delta$-слоем Mn
   
   Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  3–8