|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Локальная диагностика спиновых дефектов в облученных SiC-диодах Шоттки
Письма в ЖЭТФ, 120:5 (2024), 367–373
-
Идентификация оптически активных квартетных спиновых центров на основе вакансии кремния в SiC, перспективных для квантовых технологий
Письма в ЖЭТФ, 118:9 (2023), 639–648
-
Релаксационные процессы и когерентные спиновые манипуляции для триплетных Si-C дивакансий в карбиде кремния, десятикратно обогащенном изотопом $^{13}$C
Письма в ЖЭТФ, 116:11 (2022), 763–769
-
Проявления электронно-ядерных взаимодействий в спектрах высокочастотного ДЭЯР/ОДМР для триплетных Si-C дивакансий в SiC, обогащенном изотопом $^{13}$C
Письма в ЖЭТФ, 116:7 (2022), 481–489
-
Влияние антисайт-дефектов в иттрий-алюминиевом гранате на парамагнитные центры Ce$^{3+}$ и Tb$^{3+}$
Физика твердого тела, 62:11 (2020), 1875–1881
-
Особенности высокочастотного спектрометра электронного парамагнитного резонанса с модуляцией частоты
Письма в ЖТФ, 46:9 (2020), 47–50
-
Применение высокочастотного ЭПР/ЭСЭ для идентификации примесного состава и электронной структуры керамик на основе гранатов
Физика твердого тела, 61:10 (2019), 1864–1872
-
Акцепторы III группы с мелкими и глубокими уровнями в карбиде кремния: исследования методами ЭПР и ДЭЯР
Физика твердого тела, 60:4 (2018), 641–659
-
Высокоспиновые центры европия и гадолиния в иттрий-алюминиевом гранате
Физика твердого тела, 58:8 (2016), 1573–1579
© , 2024