Абдикаримов А Е

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние единичного граничного ловушечного заряда на подпороговый ток стока FinFET-транзистора с различной формой канала
   
   Письма в ЖТФ, 46:10 (2020),  34–37
2. Влияние формы плавника и толщины скрытого оксидного слоя на DIBL-эффект в FinFET-транзисторе, изготовленном по технологии “кремний на изоляторе”
   
   Письма в ЖТФ, 44:21 (2018),  22–29