Казанцев Дмитрий Юрьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Разработка и исследование туннельных $p$–$i$–$n$-диодов GaAs/AlGaAs для многопереходных преобразователей мощного лазерного излучения
   
   Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  285–291
2. Исследование влияния легирования на переходные слои анизотипных гетероструктур на основе GaInAsP и InP, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  22–24
3. Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1512–1518
4. Квантовый выход кремниевого XUV-лавинного фотодиода в диапазоне длин волн 320–1100 nm
   
   Письма в ЖТФ, 45:24 (2019),  10–13
5. Люминесцентные свойства выращенных на InP слоев GaInAsP с градиентом состава по толщине
   
   Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  22–25
6. Характеристики кремниевого лавинного фотодиода для ближнего ИК-диапазона
   
   Письма в ЖТФ, 45:15 (2019),  40–42
7. Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN
   
   Письма в ЖТФ, 45:15 (2019),  21–24
8. Изменение характера биаксиальных напряжений при возрастании $x$ от 0 до 0.7 в слоях Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  233–237
9. Подвижность двумерного электронного газа в DA-$p$HEMT гетроструктурах с различной шириной профиля $\delta$–$n$-слоев
   
   Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  48–56
10. Исследование градиента состава слоев GaInAsP, полученных на InP методом газофазной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  17–24
11. Влияние дозы имплантации ионов азота на концентрацию точечных дефектов, введенных в слои GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 44:13 (2018),  44–50
12. Подвижность двумерного электронного газа в DA-$p$HEMT гетроструктурах с различной шириной профиля $\delta$–$n$-слоев
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1696
13. Формирование $p$-эмиттера с участием сурфактантов в GaAs фотоэлектрических преобразователях
    
    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  699–703
14. Исследование переходных областей гетероструктур InAsPSb/InAs, полученных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
    
    Письма в ЖТФ, 43:19 (2017),  78–86
15. Электрохимическое литирование кремния с разной кристаллографической ориентацией
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  979–986
16. Cолнечно-слепые Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N ($x>$ 0.45) $p$–$i$–$n$-фотодиоды с поляризационно-легированным $p$-эмиттером
    
    Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  57–63
17. Полуизолирующие эпитаксиальные слои GaN : С, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с использованием пропана как источника углерода
    
    Письма в ЖТФ, 42:10 (2016),  85–91