Буряков Арсений Михайлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Спектральные свойства ТГц излучения латерально структурированных спинтронных источников
   
   Письма в ЖЭТФ, 121:3 (2025),  215–222
2. Механизмы сверхбыстрого размагничивания и обратного спинового эффекта Холла в терагерцевых тонкопленочных излучателях на основе кобальта
   
   Физика твердого тела, 66:7 (2024),  1081–1087
3. Анализ и управление параметрами терагерцевого излучения в структурах CoFeB/(Pt, W, Ta)
   
   Письма в ЖТФ, 50:20 (2024),  28–32
4. Исследование локальных пьезо- и сегнетоэлектрических свойств в одноионном молекулярном комплексе Zn/Dy
   
   Письма в ЖТФ, 48:20 (2022),  22–26
5. Спинтронный терагерцевый эмиттер на основе двумерного полупроводникового диселенида вольфрама
   
   Письма в ЖТФ, 48:18 (2022),  19–23
6. Фотопроводящий THz-детектор на основе сверхрешеточной гетероструктуры с плазмонным усилением
   
   Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  10–14
7. Генерация терагерцевого излучения с поверхности монослойного WSe$_{2}$
   
   Письма в ЖТФ, 45:24 (2019),  44–47
8. Исследование временной динамики фотовозбужденных носителей заряда в сверхрешетках In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As при воздействии фемтосекундными лазерными импульсами
   
   Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  723–728
9. Роль энергии фотонов возбуждения в динамике фотоиндуцированных носителей заряда в сверхрешеточных гетероструктурах InGaAs/InAlAs
   
   Письма в ЖТФ, 44:23 (2018),  146–157
10. Влияние режима отжига на свойства терагерцевой фотопроводящей антенны на основе LT-GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 44:2 (2018),  11–17
11. Генерация и детектирование терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)A
    
    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  529–534
12. Эпитаксиальные напряжения в фотопроводящем слое InGaAs для THz-антенн
    
    Письма в ЖТФ, 43:22 (2017),  48–54