Усмонов Шукрулло Негматович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности вольт-амперной характеристики гетероструктуры $n$-GaP–$p$-(InSb)$_{1-x}$(Sn$_{2}$)$_{x}$
   
   Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  23–26
2. Эффект инжекционного обеднения в $p$-Si–$n$-(Si$_{2}$)$_{1-x}$(ZnSe)$_{x}$ (0 $\le x\le$ 0.01) гетероструктуре
   
   Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1066–1070
3. Получение, структура и свойства эпитаксиальных пленок (GaAs)$_{1-x-y}$(Ge$_{2}$)$_{x}$(ZnSe)$_{y}$ на основе GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  60–66