Шабунина Евгения Игоревна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Температурное падение эффективности мощных синих InGaN/GaN-светодиодов
   
   Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  45–48
2. Влияние протонного облучения (15 МэВ) на низкочастотный шум мощных SiC MOSFETs
   
   Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1604–1608
3. Влияние облучения электронами с энергией 0.9 МэВ на вольт-амперные характеристики и низкочастотные шумы 4$H$-SiC pin-диодов
   
   Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  555–561
4. Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы
   
   Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  804–811
5. Фрактальная природа светоизлучающих структур на основе III–N наноматериалов и связанные с ней явления
   
   Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1195–1201