Королев Дмитрий Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Электрофизические характеристики многослойных мемристивных наноструктур на основе стабилизированного иттрием диоксида циркония и оксида тантала
   
   ЖТФ, 90:2 (2020),  298–304
2. Влияние облучения ионами Si$^{+}$ на резистивное переключение мемристивных структур на основе стабилизированного диоксида циркония
   
   Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  3–6
3. Влияние примеси бора на излучательные свойства дислокационных структур в кремнии, сформированных путем имплантации ионов Si$^{+}$
   
   Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  702–707
4. Имитация синаптической связи нейроноподобных генераторов с помощью мемристивного устройства
   
   ЖТФ, 87:8 (2017),  1248–1254
5. Формирование гексагональной фазы кремния 9$R$ при ионной имплантации
   
   Письма в ЖТФ, 43:16 (2017),  87–92
6. Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе SiO$_{x}$
   
   ЖТФ, 86:5 (2016),  107–111
7. Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  274–278
8. Резистивное переключение в мемристивных структурах Au/SiO$_{x}$/TiN/Ti с различными геометрическими параметрами и стехиометрией диэлектрической пленки
   
   Письма в ЖТФ, 42:10 (2016),  17–24