RUS
ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ
Решанов Сергей Александрович
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
Cиловой МДП-транзистор на 4
$H$
-SiC с эпитаксиальным заглубленным каналом
Физика и техника полупроводников
,
54
:1 (2020),
79–84
Метод увеличения подвижности носителей заряда в канале полевого 4
$H$
-SiC-транзистора
Физика и техника полупроводников
,
50
:6 (2016),
839–842
Особенности вольт-амперных характеристик МДП-структур SiO
$_{2}$
/4
$H$
-SiC c имплантированным в карбид кремния фосфором
Физика и техника полупроводников
,
50
:1 (2016),
103–105
©
МИАН
, 2024