Карабешкин Константин Валерьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Кремниевые светодиоды с люминесценцией (113) дефектов
   
   Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  580–584
2. Формирование наночастиц Au и особенности травления подложки Si после облучения атомарными и молекулярными ионами
   
   Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  90–96
3. Влияют ли химические эффекты на накопление структурных нарушений при имплантации в GaN ионов фтора?
   
   Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1455–1458
4. Образование дефектов в структурах GaAs с непокрытой и покрытой пленкой AlN поверхностями при имплантации ионов азота и последующем отжиге
   
   Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  437–440
5. Дефектная структура слоев GaAs, имплантированных ионами азота
   
   Письма в ЖТФ, 44:18 (2018),  24–30
6. Влияние дозы имплантации ионов азота на концентрацию точечных дефектов, введенных в слои GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 44:13 (2018),  44–50
7. Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами фтора
   
   Письма в ЖТФ, 43:1 (2017),  14–20
8. Влияние дозы имплантации и длительности отжига на люминесцентные свойства (113) дефектов в Si, имплантированном ионами кислорода
   
   Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2411–2414
9. Влияние повышения плотности каскадов столкновений на эффективность генерации первичных смещений при ионной бомбардировке Si
   
   Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1009–1015